并继竿插到什么程度，请教关于并继竹竿的问题

1，请教关于并继竹竿的问题

这种杆子主要是玩情调，玩感觉，一般是本调，主要体验的是溜鱼的快感，尤其杆子插水的感觉。这种杆子对竹子要求极高，但是就耐用度和结实程度来讲不如碳素并继杆，但是纯天然素材的东西用起来感觉是不一样的。

请教关于并继竹竿的问题

2，并继竿是什么意思与普通的台钓有啥区别

钓鱼：钓手用并继竿抛竿，看看和普通的手竿有什么区别呢？ 00:00 / 00:1470% 快捷键说明空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽不再出现可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

并继竿是什么意思与普通的台钓有啥区别

3，组培菊花如何移栽

1、培养基配方诱导萌芽培养基：MS+BA 0.3mg/L+NAA 0.1mg/L 增殖培养基：MS+BA 0.1mg/L+NAA 0.1mg/l 生根培养基：1/2MS+NAA 0.1mg/L 2、培养程序取材菊花能够产生再生植株的器官很多，以组培快繁为目标最好选茎尖、茎段、花蕾为外植体培养增殖效果最好。选取用扦插苗培育的无病虫害、健壮的植株，在其上取材，可保持其优良品种特性。在取材前2~3周，将入选株置于温室内培养，不要对叶面喷水，这样能够提高灭菌的成功率。接种前切取带腋芽的茎段或未开的花蕾，这时花瓣外有一层薄膜包着，里面是无菌的。灭菌处理时茎尖的嫩叶不要剥得太干净，以免伤口面暴露太大，使茎尖受到过大的损害。灭菌茎段除去叶片，只留一小段叶柄。材料初步切割后，用洗衣粉水漂洗三次，用自来水冲净后，将其放入含有三滴吐温的0.1%升汞溶液中消毒12min，并不时摇动，然后用镊子将其夹入含三滴吐温的8%次氯酸钠溶液中浸泡8min（超净工作台上）并不时摇动。于无菌水中漂洗二次后待用。切割将茎切去1小段，这样可减少灭菌药物的毒害。切除茎尖上的幼叶；若是蕾须剥去花被，露出里面半球形的花序轴，再视其大小纵切4~6块，接种到诱导培养基中。生长及分化外植体经培养后，一般20~40D茎尖处可分生出新芽，茎断的叶腋处也会萌发出丛生芽，基部生长的愈伤组织也会分化出新芽。而花蕾外植体经过 15~20D的培养，会形成愈伤组织；再经过20~30D的培养，愈伤组织就会分化出较多的丛生芽。将从以上外植体诱导分化出的丛生芽，分切成数块放入增殖培养基中继代培养。开始分化率和分化苗的数量都较小，随继代次数增加，分生苗很快就能够增多起来。增殖的方式除诱导丛生芽增殖外，还可用茎切段作微型扦插来繁殖，它的增殖速度也完全能满足快速繁殖的要求。方法是用各种再生途径产生的嫩茎为材料，培养其长到一定高度时，把它切成节段，一般是一叶为一段，然后将切断的基部插入增殖培养基中培养。28D天后，腋芽即可长成新的小植株，重复上述的方法不断进行继代培养，从而达到快繁殖目的。生根培养在继代培养基中培养25~30D进行转瓶时，将那些生长正常，苗高达到2~3CM的单株嫩茎切下，插到生根培养基中，7D后可形成有突起的淡绿色根原基，经过2周培养后，即可生根。菊花的生根非常容易，在多种生长素浓度下，乃至不加任何生长素的培养基上，都可以获得100%的生根效果。质量标准及调控技术菊花出瓶苗的标准时叶色浓绿，粗壮，苗高2~3CM，有根且根系发达。经过渡培养的下地苗，则要求小苗叶色正常，浓绿，植株矮壮。菊花是一种比较容易进行组织培养的植物，适用于菊花的培养基种类很多，它对激素的要求不很严格，适应范围较广，菊花在组织培养中是一种较不容易因为激素浓度的高低而引起变异或玻璃化的一个种类。但是BA含量不应超过10mg/L，NAA不应超过2mg/L。菊花继代苗的植株应达到叶形、株形正常，增殖培养率可达到5~10倍以上。菊花在培养瓶中培养的温度适应范围较宽，在22~28℃都可以。但温度过低，会使苗质脆弱，生长速度延缓；温度过高培养基水分蒸发较快，致使植株还未分化到所需程度，就开始出现干萎。所以温度最好在24~26℃之间。培养室光照每天12h，光照在1000~4000lx都可以生长，但是光照过弱会使幼苗出现徒长现象，茎软叶细弱，低质量的组培苗，出瓶后的过渡成活率也低。因此光照以2500~3000lx为宜。用来生根的单株嫩茎必须有1~2CM 高，在生根培养基上生长15D后，苗高才能达到2~3 CM，有2~3条根长达1~2CM的不定根。最好生根率达100%后，才可出瓶炼苗。如若还有少部分植株未长出足够的根系时，可将瓶苗在上述环境培养条件下延缓几日，待其长出根系时再出瓶。出瓶苗的过渡管理菊花的有根苗移栽成活容易，将有根的植株从瓶中用镊子轻轻夹出，洗净根部黏附的琼脂，栽入珍珠岩基质中。移栽前期将空气湿度保持在75%~85%之间，遮光率为40%，环境温度控制在20~26℃，就可使试管苗在20D左右移栽成活，并长出新根新叶。经1~2个月的管理，便可定植于富含腐殖质，经过灭菌处理的砂质壤土中。菊花喜欢微潮偏干的土壤环境，在定植时不必施用基肥，随着小苗对外界环境的适应，可每隔1~2周追稀液体肥料一次。由于菊花有忌高温、喜凉爽的习性，菊花试管苗定植后，不可接受过强的日光照射，应该采用先遮荫再逐渐增加光照的管理方法。由于菊花的过渡成活率比较高，所以有时也可以从瓶内出来就直接下地栽培，但管理呀非常细心。

组培菊花如何移栽

4，并继竿连接的时候肯定要旋紧吗

摘要轻轻缓慢插到底,不用旋转，边旋边插容易伤漆，顺时针或逆时针拧紧一点点，收杆反之。切不可用大力和蛮力，插竿和收竿的时候两手尽量靠近竿口并保持同一直线上，这点非常关键，否者极易伤竿。咨询记录 · 回答于2021-04-26 并继竿连接的时候肯定要旋紧吗？轻轻缓慢插到底,不用旋转，边旋边插容易伤漆，顺时针或逆时针拧紧一点点，收杆反之。切不可用大力和蛮力，插竿和收竿的时候两手尽量靠近竿口并保持同一直线上，这点非常关键，否者极易伤竿。我插到底后，稍微旋转了一下，但是一拨又出来了，没用，要旋很紧才拨不出来卡住那个点掌握力度，不能过度，也不能太轻就行要旋转至不能拨出来才行吗？对，就是刚好不能拔出来那个状态如果不旋紧过，挂底的话会不会拨出节，如果中鱼，应该不会拨节吧，有弧度的不会的

5，做一做用植物的根或茎叶繁殖后代的实验

组织培养算不植物材料：菊花培养基配方诱导萌芽培养基：MS+BA 0.3mg/L+NAA 0.1mg/L 增殖培养基：MS+BA 0.1mg/L+NAA 0.1mg/l 生根培养基：1/2MS+NAA 0.1mg/L 2、培养程序取材菊花能够产生再生植株的器官很多，以组培快繁为目标最好选茎尖、茎段、花蕾为外植体培养增殖效果最好。选取用扦插苗培育的无病虫害、健壮的植株，在其上取材，可保持其优良品种特性。在取材前2~3周，将入选株置于温室内培养，不要对叶面喷水，这样能够提高灭菌的成功率。接种前切取带腋芽的茎段或未开的花蕾，这时花瓣外有一层薄膜包着，里面是无菌的。灭菌处理时茎尖的嫩叶不要剥得太干净，以免伤口面暴露太大，使茎尖受到过大的损害。灭菌茎段除去叶片，只留一小段叶柄。材料初步切割后，用洗衣粉水漂洗三次，用自来水冲净后，将其放入含有三滴吐温的0.1%升汞溶液中消毒12min，并不时摇动，然后用镊子将其夹入含三滴吐温的8%次氯酸钠溶液中浸泡8min（超净工作台上）并不时摇动。于无菌水中漂洗二次后待用。切割将茎切去1小段，这样可减少灭菌药物的毒害。切除茎尖上的幼叶；若是蕾须剥去花被，露出里面半球形的花序轴，再视其大小纵切4~6块，接种到诱导培养基中。生长及分化外植体经培养后，一般20~40D茎尖处可分生出新芽，茎断的叶腋处也会萌发出丛生芽，基部生长的愈伤组织也会分化出新芽。而花蕾外植体经过15~20D的培养，会形成愈伤组织；再经过20~30D的培养，愈伤组织就会分化出较多的丛生芽。将从以上外植体诱导分化出的丛生芽，分切成数块放入增殖培养基中继代培养。开始分化率和分化苗的数量都较小，随继代次数增加，分生苗很快就能够增多起来。增殖的方式除诱导丛生芽增殖外，还可用茎切段作微型扦插来繁殖，它的增殖速度也完全能满足快速繁殖的要求。方法是用各种再生途径产生的嫩茎为材料，培养其长到一定高度时，把它切成节段，一般是一叶为一段，然后将切断的基部插入增殖培养基中培养。28D天后，腋芽即可长成新的小植株，重复上述的方法不断进行继代培养，从而达到快繁殖目的。生根培养在继代培养基中培养25~30D进行转瓶时，将那些生长正常，苗高达到2~3CM的单株嫩茎切下，插到生根培养基中，7D后可形成有突起的淡绿色根原基，经过2周培养后，即可生根。菊花的生根非常容易，在多种生长素浓度下，乃至不加任何生长素的培养基上，都可以获得100%的生根效果。质量标准及调控技术菊花出瓶苗的标准时叶色浓绿，粗壮，苗高2~3CM，有根且根系发达。经过渡培养的下地苗，则要求小苗叶色正常，浓绿，植株矮壮。菊花是一种比较容易进行组织培养的植物，适用于菊花的培养基种类很多，它对激素的要求不很严格，适应范围较广，菊花在组织培养中是一种较不容易因为激素浓度的高低而引起变异或玻璃化的一个种类。但是BA含量不应超过10mg/L，NAA不应超过2mg/L。菊花继代苗的植株应达到叶形、株形正常，增殖培养率可达到5~10倍以上。菊花在培养瓶中培养的温度适应范围较宽，在22~28℃都可以。但温度过低，会使苗质脆弱，生长速度延缓；温度过高培养基水分蒸发较快，致使植株还未分化到所需程度，就开始出现干萎。所以温度最好在24~26℃之间。培养室光照每天12h，光照在1000~4000lx都可以生长，但是光照过弱会使幼苗出现徒长现象，茎软叶细弱，低质量的组培苗，出瓶后的过渡成活率也低。因此光照以2500~3000lx为宜。用来生根的单株嫩茎必须有1~2CM高，在生根培养基上生长15D后，苗高才能达到2~3 CM，有2~3条根长达1~2CM的不定根。最好生根率达100%后，才可出瓶炼苗。如若还有少部分植株未长出足够的根系时，可将瓶苗在上述环境培养条件下延缓几日，待其长出根系时再出瓶。出瓶苗的过渡管理菊花的有根苗移栽成活容易，将有根的植株从瓶中用镊子轻轻夹出，洗净根部黏附的琼脂，栽入珍珠岩基质中。移栽前期将空气湿度保持在75%~85%之间，遮光率为40%，环境温度控制在20~26℃，就可使试管苗在20D左右移栽成活，并长出新根新叶。经1~2个月的管理，便可定植于富含腐殖质，经过灭菌处理的砂质壤土中。菊花喜欢微潮偏干的土壤环境，在定植时不必施用基肥，随着小苗对外界环境的适应，可每隔1~2周追稀液体肥料一次。由于菊花有忌高温、喜凉爽的习性，菊花试管苗定植后，不可接受过强的日光照射，应该采用先遮荫再逐渐增加光照的管理方法。由于菊花的过渡成活率比较高，所以有时也可以从瓶内出来就直接下地栽培。

6，菊花的组织培养要记住哪些知识点呢

菊花的茎尖组织培养脱毒：材料的选择和消毒，脱毒苗培养鉴定，移栽菊花的组培快繁：外植体材料选择与灭菌，诱导、继代培养，生根、移栽

将教科书上栏旁小资料中的内容以问题的形式写下来就很好。

由于菊花的病毒病种类比较多，而且危害也较为严重。使用扦插繁殖苗，容易引起病毒病的扩张和蔓延，因此茎尖脱毒培养和组培快繁生产母本植株，再生产扦插苗的技术，对优良品种的脱病毒和复壮有着重要意义。一、培养基配方诱导萌芽培养基：MS+BA0.3毫克/升+NAA0.1毫克/升增殖培养基：MS+BA0.1毫克/升+NAA0.1毫克/升生根培养基：1/2MS+NAA0.1毫克/升二、培养程序菊花以组培快繁为目标最好选茎尖、茎段、花蕾为外植体培养增殖效果最好。选取用扦插苗培育的无病虫害、健壮的植株，在其上取材，可保持其优良品种特性。在取材前2~3周，将入选株置于温室内培养，不要对叶面喷水，这样能够提高灭菌的成功率。接种前切取带腋芽的茎段或未开的花蕾，这时花瓣外有一层薄膜包着，里面是无菌的。灭菌处理时茎尖的嫩叶不要剥得太干净，以免伤口面暴露太大，使茎尖受到过大的损害。灭菌茎段除去叶片，只留一小段叶柄。材料初步切割后，用洗衣粉水漂洗三次，用自来水冲净后，将其放入含有三滴吐温的0.1%升汞溶液中消毒12分钟，并不时摇动，然后用镊子将其夹入含三滴吐温的8%次氯酸钠溶液中浸泡8分钟（超净工作台上）并不时摇动。于无菌水中漂洗二次后待用。切割将茎切去1小段，这样可减少灭菌药物的毒害。切除茎尖上的幼叶；若是蕾须剥去花被，露出里面半球形的花序轴，再视其大小纵切4~6块，接种到诱导培养基中。生长及分化外植体经培养后，一般20～40天茎尖处可分生出新芽，茎断的叶腋处也会萌发出丛生芽，基部生长的愈伤组织也会分化出新芽。而花蕾外植体经过15～20天的培养，会形成愈伤组织；再经过20～30天的培养，愈伤组织就会分化出较多的丛生芽。将从以上外植体诱导分化出的丛生芽，分切成数块放入增殖培养基中继代培养。开始分化率和分化苗的数量都较小，随继代次数增加，分生苗很快就能够增多起来。增殖的方式除诱导丛生芽增殖外，还可用茎切段作微型扦插来繁殖，它的增殖速度也完全能满足快速繁殖的要求。方法是用各种再生途径产生的嫩茎为材料，培养其长到一定高度时，把它切成节段，一般是一叶为一段，然后将切断的基部插入增殖培养基中培养。28天后，腋芽即可长成新的小植株，重复上述的方法不断进行继代培养，从而达到快繁殖目的。生根培养在继代培养基中培养25～30天进行转瓶时，将那些生长正常，苗高达到2～3厘米的单株嫩茎切下，插到生根培养基中，7天后可形成有突起的淡绿色根原基，经过2周培养后，即可生根。菊花的生根非常容易，在多种生长素浓度下，乃至不加任何生长素的培养基上，都可以获得100%的生根效果。三、质量标准及调控技术菊花出瓶苗的标准时叶色浓绿，粗壮，苗高2～3厘米，有根且根系发达。经过渡培养的下地苗，则要求小苗叶色正常，浓绿，植株矮壮。菊花在培养瓶中培养的温度适应范围较宽，在22℃～28℃都可以。但温度过低，会使苗质脆弱，生长速度延缓；温度过高培养基水分蒸发较快，致使植株还未分化到所需程度，就开始出现干萎。所以温度最好在24℃～26℃之间。培养室光照每天12小时，光照在1000～4000勒克斯都可以生长，但是光照过弱会使幼苗出现徒长现象，茎软叶细弱，低质量的组培苗，出瓶后的过渡成活率也低。因此光照以2500～3000勒克斯为宜。用来生根的单株嫩茎必须有1～2厘米高，在生根培养基上生长15天后，苗高才能达到2～3厘米，有2~3条根长达1～2厘米的不定根。最好生根率达100%后，才可出瓶炼苗。如若还有少部分植株未长出足够的根系时，可将瓶苗在上述环境培养条件下延缓几日，待其长出根系时再出瓶。四、出瓶苗的过渡管理菊花的有根苗移栽成活容易，将有根的植株从瓶中用镊子轻轻夹出，洗净根部黏附的琼脂，栽入珍珠岩基质中。移栽前期将空气湿度保持在75%～85%之间，遮光率为40%，环境温度控制在20℃～26℃，就可使试管苗在20天左右移栽成活，并长出新根新叶。经1～2个月的管理，便可定植于富含腐殖质，经过灭菌处理的砂质壤土中。菊花喜欢微潮偏干的土壤环境，在定植时不必施用基肥，随着小苗对外界环境的适应，可每隔1～2周追稀液体肥料一次。由于菊花有忌高温、喜凉爽的习性，菊花试管苗定植后，不可接受过强的日光照射，应该采用先遮荫再逐渐增加光照的管理方法。由于菊花的过渡成活率比较高，所以有时也可以从瓶内出来就直接下地栽培。

1.菊花是花2.菊花不是暴米花3.菊花很漂亮

7，ddr内存和ddr2内存有什么区别

DDR1和DDR2区别 DDR1是继SD内存后推出的产品，DDR2是DDR1的升级版本。其主要区别是：1。接口不一样。 2。起始频率不一样（DDR1起步为266，最高为400。DDR2起步为533，最高为1066）随着摩尔定律，内存容量也在稳步提升，但和其指标没关系。

外频不同 ddr的外频有ddr266 ddr133之类到ddr2代就是 667外频 533外频与cpu的交换速度可以说是大大的提高了

纠正前面答案的一个小问题，DDRII是有400的。

如果楼主想要知道的只是怎样分辨的话，那么我告诉你，2代内存的上面是正方形的小模块，1代是长方条形的模块。就是这个样子区分。

简单的说就是DDR2比DDR好就是了， DDR2 便宜性能也好

1.理论上说速度回快一倍,就向SD和DDR一样 2.价格会比DDR多30-50左右 3.945以上的芯片组一定回支持的 DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 DDR2与DDR的区别示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。